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ashburn p - sige heterojunction bipolar transistors
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SiGe Heterojunction Bipolar Transistors




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Dettagli

Genere:Libro
Lingua: Inglese
Pubblicazione: 10/2003





Trama

The addition of germanium to silicon technologies to form silicon germanium (SiGe) devices has created a revolution in the semiconductor industry. Germanium is added to silicon to form high-performance heterojunction bipolar transistors (HBTs) which can operate at higher speeds than standard silicon biploar transistors. These transistors form the enabling devices in a wide range of products for wireless and wired communications.










Altre Informazioni

ISBN:

9780470848388

Condizione: Nuovo
Dimensioni: 229 x 19 x 152 mm Ø 488 gr
Formato: Copertina rigida
Pagine Arabe: 288


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