Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormeßtechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngrößen des Transistors be schäftigt, in ganz entscheidendem Maße Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfältigen Meßverfahren erscheint deshalb zum gegenwärtigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormeßtechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muß, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen röhre. Die Kennwerte hängen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Gründen versagen, auch nur annähernd ausreichendes Datenmaterial für die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der Überlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine größere Anzahl von Kenn werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schließlich veranlaßten - vor allem in der ersten Entwicklungs phase - die großen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngrößen einen hohen meßtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermaßen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu können. Gegenstand der Transistormeßtechnik sind nicht die grundsätzlichen schwach stromtechnischen Meßverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fülle der bekannt gewordenen Verfahren versagte es von vornherein, über das zum Ver ständnis grundsätzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Kürzung dürfte zugunsten einer über sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.
